Tavaline (längnurgaga) preparatsioon on näidustataud ulatuslikul kaarieskahjustusel, mis haarab lisaks kontaktpinnale ka hambanurka (klassikaline IV klassi kaviteet).

Selline kaviteet vajab täidise püsivuse suurendamiseks lisaretentsioone. Lisaretentsiooniks võib kasutada gingivaalset retentsioonivagu (sügavusega umbes 0,25 mm), intsisaalset õnarust, parapulpaarseid tihvte, tappühendust (nõnda nimetatud pääsusaba preparatsioon lingvaalsele hambapinnale) või nende omavahelisi kombinatsioone.

Tappühendus lingvaalsel pinnal lisab täidisele oluliselt retentsiooni kuid ei ole kooskõlas tänapäevase konservatiivse preparatsiooni põhimõtetega. Otsus selle lisaretentsiooni vajalikkusest tuleb langetada lähtuvalt situatsioonist. Eelnevalt asetatud ja lahti murdunud täidis või vähene võimalus teiste lisaretentsioonide kasutamiseks on sellise tappühenduse kasutamise näidustuseks.

IV klassi esmase kaviteedi loomisel kujundatakse kaviteedi väline piir. Sealjuures püütakse kaviteedi seinad moodustada võimalikult perpendikulaarsed (risti asetsevalt) või paralleelsed hamba pikiteljega. Selline kaviteedi kuju annab täidisele suurema vastupanu hammustamisel toimivatele jõududele. Esmane kaviteedi sügavus on 0,5 mm ulatuses dentiini.

Allikas: http://www.dentalclinicalskillslab.group. shef.ac.uk/video/bcs_index.html

Allikas: http://www.dentaljuce.com/fruit/page.asp?pid=404

Kui kaviteedi piirid on antud, eemaldatakse karioosne kude ja/või vana täidismaterjal. Kui kaviteet on sügav ja ulatub pulbi lähedusse siis on vajalik pulbi isoleerimine näiteks kaltsiumhüdroksiidiga.

Kaviteedi ääred lihvitakse kaldu kasutades leegikujulist teemantpuuri. Kaldlihvi laius võib ulatuda 0,25 kuni 2 mm, sõltudes kaviteedi ulatusest.

Kui kasutatakse lisaretentsioonina gingivaalset retentsioonivagu, siis selle asetus ja sügavus on samad mis III klassi preparatsioonil. Vao tegemiseks kasutatakse pisikest kerapuuri. Umbes 0,25 mm sügavune vagu prepareeritakse kaviteedi gingivaalsesse seina, kohta kus moodustub nurk aksiaalse ja gingivaalse seina vahel.