Tartu ÜlikoolBitova, Tamara, toimetaja2013-02-192013-02-191988Per.A-1169http://hdl.handle.net/10062/29217• К.-С. К. Ребане. Развитие научных исследований в лаборатории электролюминесценции и полупроводников (ЛЭП) за 25 лет • К.-S. К. Rebane. The scientitic investigations in the laboratory of electroluminescence and • Semiconductors (LBS) during the 25 years. Summary • В.П. Васильченко, Л.Л. Матизен. Влияние процессов возбуздения и девозбувдения марганцевых центров на волът-яр- костную характеристику тонкопленочных злектролюминесцентых индикаторов на базе ZnS:Mn • Y. P. Vasilchenko, L.L. Matisen. The influence of excitation and de-excitation processes of manganese centres on the brightness-voltage characteristics of ZnS:Mn A.C. thin film electroluminescent devices. Summary • В.П. Васильченко, Л.Л. Матизен. Способ определения концентрации Мн в тонкопленочной электролю- минесцирующей структуре на базе ZnS • V.P. Vasilchenko , L.L. Matisen. The method of determination of manganese concentration in the thin-film electroluminescent structure baaed on ZnS. Summary • A.H. Горбань, A.П. Добрун, M.B. Фок. Механизм электролюминесценции пленочных структур Cuxs-Zns:Cu, Mn, С1-А1, работающих на постоянном токе • A.N. Gorban, А.P. Dobrun, M.V. Рок. The mechanism of B.C. electroluminescence in CuxS-ZnS:Cu, Mn,C1-A1 film structure. Summary • Л.Д. Матизен, К.-С.К. Ребане. 0 двух видах старения порошкообразных электролюминесцентных элементов • L.D. Matisen, К.-S.K. Rebane. About two type of degradation of electroluminescent capacitors ( ELC ). Summary • Я.Д. Лебедев, M.B. Фoк, М.Д. Шагалов. К вопросу о механизме поляризованной электролюминесценции в сзетоизлучающих структурах на основе нитрида галлия • J.D. Lebedev, M.V. Рок, M.D. Shagalov. On the problem of the mechanism of electroluminescence in the GaN: (Zn-0) light-emitting structures. Summary • Я.Д. Лебедев, M.B. Фок, М.Д. Шагалов. C реальности инжекционного механизма электролюминесцении в структурах из GaN : ( Zn-O) • J.D. Lebedev, M.V. Pok, M.D. Shagalov. On reality of the injectional mechanism of the electroluminescence in GaN: (Zn-0) structures. Summary • С.И. Власкина, М.А. Кадыров, В.Б. Родионов, Х.А.Шамура- тов. О возможности получения светоизлучающих диодов на гетеровпитаксиальных пленках карбида кремния • S.I. Vlaskina, М.А. Kadirov, V.B. Rodionov. On the possiboloty of obtaining light-emitting diodes on hetero-epitaxial films on silicon carbide. Summary • Т.П. Лехто, K.B. Реало, А.Л. Теммо, Т.В. Цузенко. Злектролшинесцентнне излучатели постоянного поля на основе CaS-Ce • Т.Р. Lehtо, K.V. Realo, A.L. Temmo, T.V. Puzenko. D.C. electroluminescent devices based on CaS-Ce. Summary • К.Э. Таркпеа, A.O.-P. Otc. F+- центры и оптическое поглощение окиси цинка • К. В. Tarkpea, a.R, Ots. F+-centres and optical absorption of zinc oxide. Summary • Л.И. Кромонов. О технологии изготовления тонкопленочного термопреобразователя • L.I. Kromonov. On the technology of preparing thinfilmed thermal converter. Summary • Ю.Я. Лембра , У.Э. Кальюлайд. К теории вакуумного нанесения пленки на вращающийся цилиндр из асcимитрично расположенного источника • J.J.Lembra, V.B.Kaljulaid. On the theory of vacuum deposition of layer on the rotating sylindrical substrate assymmetrically located source. Summary • Ю.Я. Лембра, X.B. Сиймон. Oб одной разновидности установки вакуумного испарения в методе послойной атомной зпитаксии • J.J. Lembra, H.V. Siimon. A variant of device for vacuum deposition in the atomic layer epitaxy method. SummaryrujätkväljaandedTartu Ülikoolelektroluminestsentsluminestsentsmaterjalidtsinksulfiidkaltsiumsulfiidartiklikogumikud ingBook