Tartu ÜlikoolRebane, Karl-Samuel, toimetaja2013-06-282013-06-281978Per.A-1169http://hdl.handle.net/10062/31580• Гурвич А.М. Новый этап в развитии сублимированных и порошкообразных щелочногалоидных люминофоров • Summary • Ковалев Б.А., Голодко В.И. Исследование цинксульфидных электродшинофоров с примесью кобальтa • Summary • Васильченко В.П., Каск А.К. Прибор для автоматической формовки электролюмияесцентных конденсаторов постоянного поля • Summary • Андреев А.И., Васильченко В.П. Природа формовки электролюминесцентных конденсаторов постоянного поля • Summary • Васильченко В.П., Каск А.К. Об идентификации поверхностной фазы в электролюминофорах постоянного поля • Summary • Матизен Л.Д., Тальвисте Э.К., Тамммик А.-А.А. Усовершенствование некоторых методов исследования деградации ZnS - электролюминоф • Summary • Tиганe И.Ф., Tипп X.P. Установка для изготовления гетеропереходов Si-ZnS методом вакуумного испарения • Summary • Ашкинази Г.А., Арак B.B., Голосов В.В., Кронк В.М., Мандре А.М., Мейлер Б.Л. Исследование структурного совершенства сильнолегированного монокристаллического арсенида галлия в зависимости от видов его обработки • Summary • Ашкинази Г.А., Арак В.В., Голосов В.В., Золотаревский Л.Я., Кронк В.М., Тагасаар М.А. Некоторые особенности структурных несовершенств,возникающих при росте монокристаллических слоев GaAs из раствора-расплавa • Summary • Ванем P.А., Кире Я.Я., Лыук П.А. Спектральные зависимости оптически индуцированной модуляции поглощения в GaAs • Summary • Саланди X.K. Оптический зонд для исследования полупроводниковых структур • Summary • Aapик Я.А., Коппeль Х.Д., Kютт Я.Я., Розенталь А.И., Фриеденталь Я.К. Определение ширины запрещенной зоны твердых растворов Alx Ga1-x As в двусторонних лазерных гетероструктурах методом светового зонда • Summary • Aapик Я.A., Гepст A.B., Лайсааp А.И., Лыук П.A., Мугра A.K.-F., Нийлиск А.И., Розенталь А.И. Влияние гидростатического давления на пороговые характеристики GaAs-AlxGa1-xAs гетеролазера • Summary • Адамсон П.В., Розенталь А.И., Федосеев В.Г. Влияние зеркального отражения спонтанного излучения от металлически контактов на пороговый ток гетеролазера ( модель прямых оптических переходов) • Summary • Сейленталь М.И. Вычисление поверхностной фото - ЭДС вырожденного полупроводника • Summary • Бергман Я.В., Корольков В.И., Лыук П.А., Рахимов Н. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов nGaAs-рАlхGа1-хАs • Summary • Тальвисте Э.К., Тоотс К.О. Туннелирование через барьер с двумя резонаторами • Summary • Ашкинази Г.А., Рабкин П.Б. Иняекционные свойства изотипных гетеропереходов • Summary • Ашкинази Г.A., Голосов B.B., 3олотаревский Л.Я., Киви У.М., Падьюс А.Л., Рабкин П.Б., Тимофеев В.Н., Тагасаар М.А., Шумилин В.Н ., Якобсон Ю.П. Электрофизические параметры р+- п - п+-структур на основе арсенида галлия • Summary • Коппeль Х.Д. .Фриеденталь Я.К.. O некоторых физико-химических аспектах приготовления металлических контактов к гетероструктурам • Summary • Ашкинази Г.A., Галинский Э.Р., Гoлосов В.В., Падьюс А.Л., Тимофеев В.Н., Якобсон Ю.П. Низкоомные омические контакты к сильнолегированному арсениду галлия • Summary • Ашкияази Г.А., Голосов B.B., 3олoтаревский Л.Я., Киви У.М., Кремер М.С., Кронк В.М., Мандре А.М., Падьвс А.Л., Рабкин П.Б., Тимофеев В.Н., Тагасаар М.А., Шумилин В.Н., Якобсон Ю.П. Силовые высокотемпературные высокочастотные приборы на основе арсенида галлия • Summary • СодержаниеrujätkväljaandedTartu ÜlikoolelektroluminestsentsheterosiirdedartiklikogumikudBook