Aarik, Jaan, juhendajaMerisalu, JoonasTartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkondTartu Ülikool. Tehnoloogiainstituut2018-06-142018-06-142018http://hdl.handle.net/10062/60715Käesolevas magistritöös uuriti takistuslülituste toimumist aatomkihtsadestatud titaanalumiiniumoksiid-kiledes. Uuritud struktuuride alumine elektrood oli RuO2 ja ülemine elektrood elektronkiiraurustamisega sadestatud Pt. Eesmärgiks oli välja selgitada, kas takistuslülitused toimuvad antud struktuurides ja kui toimuvad, siis milline on TiO2-l põhinevasse dielektrikku lisatud Al2O3 sisaldavate kihtide mõju lülitumistele. Lisaks sellele töötati välja metoodika takistuslülituste tuvastamiseks ja elektriliseks karakteriseerimiseks. Selgitati välja, et kõikides uuritud struktuurides toimuvad takistuslikud lülitused. Al2O3 sisaldava kihi paksuse suurendamine suurendas lülitumiste efektiivsust ja nende kihtide erinev paigutus mõjutas oluliselt juhtivuse sõltuvust ümberlülitamiseks kasutatavast pingest, eriti lülitumisel suure takistusega režiimi. Lisaks kirjeldati käesolevas töös takistuslülituste iseärasusi ja sellest lähtuvalt pakuti välja, millised mehhanismid võisid takistuslülitumisi antud struktuurides põhjustada.estopenAccessAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 EstoniaIEEE-488LabViewmagistritöödarvutimäludtakistusmäludünaamiline muutmäluelektrilised mälumaterjalidsondijaamarvutijuhitavad mõõtmisedelektrilised mõõtmised ja karakteriseeriminetakistuslülituskiletehnoloogiatäppismõõteseadmedcompurer memorysDRAMRRAMresistive swichingprobestationcomputer guided measurementselectrical measurements and characterizationelectrical memistorsthin film technologyprecision measurementThesis