Sirvi Kuupäev , alustades "2010-10-26" järgi

Filtreeri tulemusi aasta või kuu järgi

Nüüd näidatakse 1 - 1 1

Atomic layer deposition of high-permittivity insulators from cyclopentadienyl-based precursors
(2010-10-26) Tamm, Aile
Õhukeste ja kõrgekvaliteediliste ZrO2 ja HfO2 kilede kontrollitavat aatomkihtsadestust on võimalik realiseerida kasutades suhteliselt uudseid tsüklopentadienüülidepõhiseid metallide lähteaineid tavalistes laboratooriumitingimustes (mitte ilmtingimata puhasruumis). Tsirkooniumi ja hafniumi tsüklopentadienüülid, ehk sellised ühendid nagu (CpMe)2ZrMe2, (CpMe)2Zr(OMe)Me, (CpMe)Zr(NMe2)3, (CpEt)Zr(NMe2)3, (CpMe)2Hf(OMe)Me ja CpHf(NMe2)3 (Cp = C5H5, Me = CH3, ja Et = C2H5) osutusid koos hapniku lähteaine osooniga aatomkihtsadestusprotsessi jaoks sobivateks lähteaineteks. Antud lähteainekeemial põhineva sadestusprotsessi tulemusena oli võimalik saada tiheda struktuuriga dielektrilisi ja isoleerivaid metalloksiidkilesid pooljuhtivatel ja metallilistel substraatidel. Kasutades neid lähteaineid, oli võimalik saavutada ühtlane, s.t. konformaalne kasv ka kolmedimensionaalsetel substraatidel. ZrO2 ja HfO2 kuubilise või tetragonaalse faasi stabiliseerimine järeltöötlustemperatuuri monokliinseks faasiks transformeeriva mõju vastu on osutunud probleemiks. Seetõttu stabiliseeriti neid faase dopeerides või kombineerides kilesid muldmetalloksiididega. HfO2 juhul kasutati hiljuti väljatöötatud ühte tsüklopentadienüüli ja kolme amino-gruppi sisaldavat lähteainet CpHf(NMe2)3 üttriumiga dopeeritud HfO2 kilede sadestamisel. ZrO2 puhul kasutati stabiliseerimiseks gadoliiniumi ja erbiumi oksiide, kusjuures ZrO2 ise kasvatati lähteainest (CpMe)2Zr(OMe)Me. Selles töös uuritud sadestusprotsessid ja sadestatud kilede kvaliteet lubavad arvestada uuritud materjalidega paremate mälukondensaatorite väljatöötamisel.