Sirvi Kuupäev , alustades "2011-06-10" järgi

Filtreeri tulemusi aasta või kuu järgi
Nüüd näidatakse 1 - 1 1
  • Pisipilt
    listelement.badge.dso-type Kirje ,
    Pulsed Laser Deposition of Magnesium Oxide and Barium Ternary Oxides for Plasma Display Protective Layers
    (2011-06-10) Kodu, Margus
    Antud doktoritöös uuriti plasmaekraanide kaitsekihtide materjale ühe plasmaekraanide olulisima parameetri, süttimispinge, seisukohast. Plasmaekraanid koosnevad tuhandtetest gaaslahendusrakkudest ja ekraanide energiatarve ja maksumus on otseselt seotud rakkudes tekitatava gaaslahenduse süttimispingega - mida madalam süttimispinge, seda madalam energiatarve ja seda vähem maksavad ekraanis sisalduvad elektroonikakomponendid. Sünteesitud materjalide süttimispingete mõõtmiseks sadestati uuritavast materjalist kiled spetsiaalsetele alektroodalustele ja mõõdeti kahest vastakuti asetatud alusest koosneva testraku süttimispinge. Õhukeste kilede sadesamiseks kasutati impulss-lasersadestuse seadet. Töös käsitletud materjalideks olid BaGa2O4, BaY2O4 ning puhas ja dopeeritud MgO. Magneesium oksiidi - mis on ka hetkel plasmaekraanis tööstuslikult kasutatav kaitsekihi materjal - korral uuriti sadestustingimuste mõju kasvanud kilede struktuurile ning kilede struktuuri ja dopeerimise mõju gaaslahendusomadustele. Uuriti ka kahe potentsiaalse kaitsekihi asendusmaterjali, BaGa2O4 ja BaY2O4, kilede struktuuri ja gaaslahendusomadusi. Olulisimad faktorid madala süttimispinge saavutamiseks olid MgO kilede korral nende tihedus ja kristallilisus - mida suurem oli kilede tihedus ja kristallilisus, seda väiksem oli süttimispinge. Lisaks selgus analüüsiandmetest, et ka kilede suur pinnakaredus soodustab madala süttimispinge saavutamist. Doktoritöös sünteesiti ka vesinikuga dopeeritud MgO õhukesed kiled. Analüüs näitas, et vesinikulisand tekitas magnesium oksiidi kristallis defekte, mis on võimelised lõksustama elektrone. Need elektronlõksud mõjutasid kilede gaaslahendusomadusi nii, et dopeeritud kilede süttimispinge oli kuni 55 V (20%) madalam kui vesinikulisandita kilede süttimispinge. Kahe uuritud baariumi kolmikoksiidi, BaY2O4 ja BaGa2O4, korral saadi süttimispingete väärtusteks 210 V (BaY2O4) ja 257 V (BaGa2O4), mis on oluliselt kõrgemad võrreldes MgO kiledel mõõdetud väärtustega (<180 V). Tulemus viitab sellele, et need baariumi ühendid pole sobivad MgO asendusmaterjalid kuna nende kasutamine plasmakuvaris ei soodustaks seadme energiatarbe alanemist.