Sirvi Kuupäev , alustades "2017-07-04" järgi

Filtreeri tulemusi aasta või kuu järgi

Nüüd näidatakse 1 - 3 3

Transcriptional mechanisms in thymic central tolerance
(2017-07-04) Haljasorg, Uku; Peterson, Pärt, juhendaja; Laan, Martti, juhendaja; Tartu Ülikool. Meditsiiniteaduste valdkond
Immuunsüsteemi üheks alustalaks on T-rakkude võime eristada haigustekitajatest pärinevaid („võõraid“) valke kehaomastest („omadest“) valkudest. Selle eristusvõime tagab immuuntolerantsuse mehhanism, mis jaguneb tolerantsust tekitava keskkonna põhjal kaheks: tsentraalseks ja perifeerseks tolerantsuseks. Tsentraalse T-rakulise tolerantsuse tekkepaigaks on südame ees asuv organ, tüümus ehk harknääre, kus arenevaid T-rakke „õpetatakse“ vältima immuunvastust „omale“. Selles protsessis on keskne roll tüümuse epiteelirakkudel ja neis rakkudes avalduvatel valgufaktoritel, nn transkriptsioonifaktoritel, mis reguleerivad teisi geene ja mille osalusel tehakse kahjutuks „oma“ valkudega reageerivad T-rakud. Üheks oluliseks transkriptsioonifaktoriks on Autoimmuunsuse Regulaator (Aire), mille mutatsiooni puhul T-rakud reageerivad „omale“ ning patsientidel tekivad mitmeid organeid mõjutavad autoimmuunsed haigused. Seega aitab tüümuses avalduvate transkriptsioonifaktorite uurimine paremini mõista immuunsüsteemi haigusi, kus „oma“ ja „võõra“ eristamine on häiritud, nagu autoimmuunhaigused ning iseeneslikud raseduse katkemised. Käesolev töö keskendus tüümuse epiteelis tsentraalse tolerantsuse ja seega immuunsüsteemi terviklikku toimimist mõjutavate geenide regulatsiooni uurimisele. Tuvastasime imetajate genoomis geenidevahelise piirkonna, ilma milleta ei ole Aire avaldumine tüümuses võimalik. Leidsime ka, et tiinuse ajal muutub tüümuses olevate epiteelirakkude arv ja geenide avaldumine sedavõrd, et väheneb võime meelitada tüümusesse T-rakkude eellasrakke ning suunata nende arengut. Käesoleva töö viimases osas leidsime, et lisaks Aire-le on tüümuse epiteelis teine transkriptsioonifaktor, Irf4, mis otseselt mõjutab tüümuses T-rakulist tolerantsust.
Pictorially simplified images as machine vision design tool: semiotics approach
(2017-07-04) Netchvolodov, Gleb; Torop, Peeter, juhendaja; Tartu Ülikool. Humanitaarteaduste ja kunstide valdkond
Käesolevas väitekirjas modelleeritakse redutseeritud arhitektuuriga graafiliste kujutiste (RPA – Reduced Pictorial Architecture) võimalikke kasutusviise keeruliste ja abstraktsete mõisteliste kategooriate representeerimisel. Tehisintellekti arendus on võimatu ilma masinnägemise kui arvutite peamise vastuvõtukanali uuringuteta ja semiootiline lähenemisnurk antud probleemile avab uusi võimalusi masinnägemise instrumentide väljatöötamisel. Tänapäeval on masinnägemise disaini uuringud ja arendustöö koondunud peamiselt neuro- ja biomehaanika ja teiste nö täppisteaduste valdkonda. Semiootika ja eelkõige visuaalsemiootika kaasamine võimaldab teoreetiliselt mõtestada ja praktiliselt teostada graafiliselt redutseeritud kujutiste disaini strateegiat, mis analüüsib väljendus- ja sisuplaani, formaalsete ja semantiliste elementide kombinatoorikat. RPA-d käsitletakse kui teatud märgitüüpi, milles teadete edastamise ja nende tõlgendamise mehhanism väljub kujutise sisese plastilise keele ja kitsa semantilise konteksti raamest.
Processing and characterization of transparent electrode materials
(2017-07-04) Kondratiev, Vladimir I.; Romanov, Alexey E., juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
Läbipaistvad elektrit juhtivad kiled on olulised komponendid moodsates optoelektroonikaseadmetes, nagu päikesepaneelid, valgusdioodid ja plasmapaneelid. Sellised kiled peavad olema hea elektrijuhtivusega aga säilitades samal ajal ka läbipaistvuse vajalikus optilises diapasoonis. Eksisteerib palju materjale, mis on kas head elektrijuhid või hea optilise läbipaistvusega, kuid ainult vähesed materjalid ilmutavad samaaegselt mõlemat omadust. Hetkel põhiline tööstuses kasutatav materjal on indium-tina-oksiid (ITO). Paraku ITO põhineb indiumil, mis on kallis element. Et alandada elektrit juhtivate läbipaistvate kilede hinda, on vaja välja töötada alternatiivsed materjalid. Nende valmistamine peab põhinema odavatel meetoditel, mis oleks samas sobilikud ka masstootmiseks. Üheks perspektiivseks materjaliks peetakse alumiiniumiga dopeeritud tsinkoksiidi (AZO). Käesolev töö keskendus võrdlemisi odava sool-geel meetodi väljatöötamisele AZO kilede valmistamiseks ning saadud kilede elektriliste ja optiliste omaduste uurimisele. Kuigi AZO kohta on ilmunud mitmeid teadusartikleid, ei ole seniajani avaldatud süstemaatilisi andmeid sool-geel sünteesi parameetrite ja saadud kilede omaduste kohta. Osaliselt tuleneb see sellest, et erinevad autorid kontrollivad sünteesi erinevaid parameetreid ja erinevates diapasoonides ning mitmed olulised eksperimenditingimused on jäetud põhjalikult kirjeldamata. See raskendab sünteesi kordamist. Seetõttu käesolevas töös kõik olemasolevad sool-geel valmistusmeetodid vaadati kriitilise pilguga üle ning tulemusena töötati välja ja viimistleti meetod, mis on ka hästi korratav. Uuriti põhjalikult sool-geel protseduuri kõiki etappe ja proovide kuumtöötlust erinevates keskkondades ning teostati saadud proovide füüsikalis-keemiliste omaduste analüüs. Kilesid valmistati sool-geel lahusest nii vurrkatmise kui ka elektroketruse tehnikatega, võttes eesmärgiks selliste kilede saamise, mis oleksid sobilikumad elektro-optilisteks rakendusteks. Ühtlasi uuriti saadud AZO kilede spetsiifilisi optilisi omadusi nagu fluorestsents ja valguse peegeldumine. Viimaks, demonstreerimaks kilede võimalikku rakendust ja sooritust elektrit juhtivate läbipaistvate pinnakatetena, testiti nende toimimist vedelkristallindikaatorites.