Loodus- ja täppisteaduste valdkond
Selle valdkonna püsiv URIhttps://hdl.handle.net/10062/10069
Sirvi
Sirvi Loodus- ja täppisteaduste valdkond Autor "Aarik, Jaan, juhendaja" järgi
Nüüd näidatakse 1 - 8 8
- Tulemused lehekülje kohta
- Sorteerimisvalikud
Kirje Aatomkihtsadestatud alumiiniumtitaanoksiid-kilede elektrilised omadused(Tartu Ülikool, 2015-06-12) Vask, Agnes; Arroval, Tõnis, juhendaja; Aarik, Jaan, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja tehnoloogiateaduskond; Tartu Ülikool. Füüsika instituutKirje Aatomkihtsadestatud hafniumtitaanoksiid-kilede elektrilised omadused(Tartu Ülikool, 2017) Vask, Agnes; Aarik, Jaan, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja tehnoloogiateaduskond; Tartu Ülikool. Füüsika instituutKirje Epitaksiaalse TiO2 aatomkihtsadestamine safiirile: aluse orientatsiooni mõju õhukeste kilede struktuurile ja kasvukiirusele(Tartu Ülikool, 2014-06-16) Möldre, Kristel; Aarik, Jaan, juhendaja; Tarre, Aivar, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja tehnoloogiateaduskondKirje Kasvutingimuste ja -aluste mõju TiO2 aatomkihtsadestumisele(Tartu Ülikool, 2012) Arroval, Tõnis; Aarik, Jaan, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja tehnoloogiateaduskondKirje Kesteriidi fotoluminestsentsi uurimine ja kesteriidist päikeseelementide kvantefektiivsuste määramine(Tartu Ülikool, 2020) Luus, Jürgen; Aarik, Jaan, juhendaja; Sildos, Ilmo, juhendaja; Puust, Laurits, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. Füüsika instituutKirje Takistuslülitused titaanalumiiniumoksiid-kiledes(Tartu Ülikool, 2018) Merisalu, Joonas; Aarik, Jaan, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. TehnoloogiainstituutKäesolevas magistritöös uuriti takistuslülituste toimumist aatomkihtsadestatud titaanalumiiniumoksiid-kiledes. Uuritud struktuuride alumine elektrood oli RuO2 ja ülemine elektrood elektronkiiraurustamisega sadestatud Pt. Eesmärgiks oli välja selgitada, kas takistuslülitused toimuvad antud struktuurides ja kui toimuvad, siis milline on TiO2-l põhinevasse dielektrikku lisatud Al2O3 sisaldavate kihtide mõju lülitumistele. Lisaks sellele töötati välja metoodika takistuslülituste tuvastamiseks ja elektriliseks karakteriseerimiseks. Selgitati välja, et kõikides uuritud struktuurides toimuvad takistuslikud lülitused. Al2O3 sisaldava kihi paksuse suurendamine suurendas lülitumiste efektiivsust ja nende kihtide erinev paigutus mõjutas oluliselt juhtivuse sõltuvust ümberlülitamiseks kasutatavast pingest, eriti lülitumisel suure takistusega režiimi. Lisaks kirjeldati käesolevas töös takistuslülituste iseärasusi ja sellest lähtuvalt pakuti välja, millised mehhanismid võisid takistuslülitumisi antud struktuurides põhjustada.Kirje Titaandioksiidi aatomkihtsadestamine kvartsile ja safiirile: aluste mõju õhukeste kilede kasvukiirusele ja struktuurile(Tartu Ülikool, 2012) Möldre, Kristel; Aarik, Jaan, juhendaja; Tarre, Aivar, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja tehnoloogiateaduskond; Tartu Ülikool. Füüsika instituutKirje Valguse muundamine aatomkihtsadestamise meetodil valmistatud HfO2:Pr kiledes(Tartu Ülikool, 2020) Peetermann, Karmo; Aarik, Jaan, juhendaja; Puust, Laurits, juhendaja; Aarik, Lauri, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. Füüsika instituut