Sirvi Kuupäev , alustades "2010-08-02" järgi

Filtreeri tulemusi aasta või kuu järgi

Nüüd näidatakse 1 - 2 2

Electrochemical properties of glassy carbon, nickel and gold electrodes modified with aryl groups
(2010-08-02) Kullapere, Marko
Klaassüsinik-, nikkel- ja kuldelektroodide pinna modifitseerimiseks arüülrühmadega kasutati vastavate diasooniumisoolade elektrokeemilist redutseerumist. Hapniku redutseerumist uuriti fenüül-, naftüül-, antratsenüül-, bifenüül-, 4-bromofenüül, 4-detsüülfenüül- ja 4-nitrofenüülrühmadega modifitseeritud klaassüsinikelektroodidel, kasutades pöörleva ketaselektroodi meetodit. Võrdleval eesmärgil uuriti ka Fe(CN)6 3-/4- redokspaari ning dopamiini elektrokeemilist käitumist. Arüülrühmadega modifitseeritud elektroodide blokeerivad omadused omavad suurt tähtsust mitmetes kasutusvaldkondades, näiteks elektrokatalüüsis ja elektroanalüüsis. Klaassüsinikelektroodi spontaanne modifitseerimine antrakinooniga viidi läbi sukeldades elektroode erinevateks ajavahemikeks vastava diasooniumisoola lahusesse. Spontaanselt modifitseeritud antrakinooni elektrokatalüütiline efekt hapniku redutseerumisele klaassüsinikelektroodidel oli võrreldav elektrokeemiliselt modifitseeritud antrakinooni puhul saadud tulemustega. Sarnased tulemused saadi ka in situ sünteesitud antrakinooni diasooniumsooladega modifitseeritud klaassüsinikelektroodidel. Atsetonitriilis ja happelises vesikeskkonnas modifitseeritud elektroodid näitasid sarnast elektrokatalüütilist aktiivsust hapniku redutseerumisel 0,1 M KOH lahuses. Hapniku redutseerumist uuriti ka antrakinooniga modifitseeritud nikkelelektroodidel ning täheldati kõrget elektrokatalüütililist aktiivsust sellele reaktsioonile. Nikkelelektroodi pinda modifitseeriti ka 4-nitrofenüülrühmadega. Modifitseeritud elektroodid näitasid häid blokeerivaid omadusi Fe(CN)6 3-/4- redokspaari laenguülekandeprotsessile. Diasooniumisoola redutseerumise meetodil modifitseeriti ka kuldelektroode. Arüülkilede kasvamist kullal iseloomustati kvartsmikrokaalude meetodiga. Arüülkile kasvu ja paksuse uurimiseks kasutatud aatomjõumikroskoopiline meetod näitas, et moodustunud arüülkile ei ole kompaktne, vaid pigem „mügarlik“ ning hõredalt pakitud. Tulemusi kinnitasid ka röntgenfotoelektronspektroskoopilised mõõtmised, mis demonstreerisid 4-bromofenüül- ja 4-nitrofenüülrühmade kõrgeid pindkontsentratsioone kulla pinnal. Hapniku redutseerumine arüülkiledega modifitseeritud kuldelektroodidel oli inhibeeritud väiksemal määral kui Fe(CN)6 3-/4- ja dopamiini redokspaaride laenguülekandeprotsess.
Pulsed high-pressure discharge in argon: spectroscopic diagnostics, modeling and development
(2010-08-02) Lissovski, Aleksandr
Teadaolevalt on inertsgaasi eksimerid (Ar2*, Kr2* and Xe2*) on väga suure kasuteguriga (kuni 40% sisseantud energiast) VUV kiirguse allikad. Need molekulid näivad olevat väga sobivad laseri generatsiooni saamiseks, kuid nende lühikese kiirgusliku eluea ja seotud-vaba-tüüpi elektronülemineku laia spektri tõttu on vaja väga suurt pumpamise võimsustihedust ning kümnetesse baaridesse ulatuvat gaasi rõhku, selleks et eksimeride moodustumine oleks kiirem kui nende kiirguslik kustumine. Usaldatavad spektroskoopilise diagnostika andmed energia ülekande ja muundumise kineetika kohta on olulise tähtsusega elektrilahendusega ergastatavate VUV valgusallikate edukaks arendamiseks. Käesoleva doktoritöö eesmärgiks on suure võimsusega impulss-ruumlahenduse kõrgrõhulise (1-10 bar) argooni plasma eksmerimentaalne ja mudeluurimine, selgitamaks elektronidega seotud protsesside (nagu ergastus, rekombinatsioon, kustumine) mõju Ar2* eksimeride moodustumisele ning plasma VUV-VIS kiirgusele lahenduse läbilöögi ja rekombinatsiooni staadiumis. Diagnostikaks on kasutatud lahendusplasma spontaanset kiirgust, mis on ruumiliselt ja ajaliselt lahutatud, ning neeldumissondeerimist värvlaseri kiirega. Eksperimendist on saadud arvulised andmed põhiliste ergastatud atomaarsete ja molekulaarsete osakeste tiheduste kohta, mida on kasutatud hindamaks, kui lähedale generatsiooni lävetingimustele on võimalik saada olemaolevate elektrilahendus-seadmete abil.