dc.contributor.advisor | Härmas, Riinu | |
dc.contributor.advisor | Monerjan, Eneli | |
dc.contributor.author | Kalder, Laura | |
dc.contributor.other | Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond | et |
dc.contributor.other | Tartu Ülikool. Keemia instituut | et |
dc.date.accessioned | 2022-12-07T11:40:45Z | |
dc.date.available | 2022-12-07T11:40:45Z | |
dc.date.issued | 2022 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10062/88171 | |
dc.description.abstract | Ebakorrapärase sp2
struktuuriga süsinikmaterjalid on kasutusel paljudes erinevates
valdkondades tänu struktuuriomaduste suurele varieeruvusele. Süsinikmaterjali optimaalseks
rakendamiseks tuleb aga täpselt välja selgitada nende rakendamise seisukohalt olulised
struktuuriomadused. Süsinikmaterjalide analüüsiks kasutatakse aina enam WAS ja SAS
meetodeid, mis võimaldavad ära kirjeldada laia suurusjärgu struktuuriüksuseid. Tavaliselt
kasutatakse neid meetodeid eraldiseisvatena aga selles töös rõhuti meetodite vaheliste seoste
loomisele läbi nelja uuritava materjali struktuuriomaduste leidmise. Töös leiti WAXS
meetodil Rulandi ja Smarsly algoritmiga 13 ja SANS meetodil mudelivaba graafilise
analüüsiga 13 süsinike struktuuri kirjeldavat parameetrit. Ilmnes materjali korrapära sõltuvus
pürolüüsi temperatuurist ning empiiriline seos tõestas, et meetodite kombineeritud
kasutamine on õigustatud ebakorrapäraste süsinikmaterjalide struktuuri uurimisel. | et |
dc.language.iso | est | et |
dc.publisher | Tartu Ülikool | et |
dc.rights | embargoedAccess | et |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
dc.subject | ebakorrapärane süsinik | et |
dc.subject | graafiline analüüs | et |
dc.subject | SAS | et |
dc.subject | süsinik | et |
dc.subject | kõva süsinik | et |
dc.subject.other | magistritööd | et |
dc.title | D-glükoosist hüdrotermiliselt sünteesitud osaliselt grafitiseerunud süsinike mikrostruktuuri uurimine SANS ja WAXS meetoditega | et |
dc.type | Thesis | et |