Ränikarbiidist kõvakatete sadetamine elektronkiiraursadestusmeetodil

Laen...
Pisipilt

Kuupäev

Ajakirja pealkiri

Ajakirja ISSN

Köite pealkiri

Kirjastaja

Tartu Ülikool

Abstrakt

Antud töös uuriti elektronkiiraursadestusmeetodil sadestatud SiC kilede kõvadust, struktuuri ja koostist. Sadestatud katete paksus oli 15 kuni 70 nm ja tihedus 2,65 kuni 3,1 g/cm³, nende omadusi uuriti nanotäkkija, skaneeriva elektronmikroskoobi ja skaneeriva teravikmikroskoopia abil. Tulemused näitasid, et SiC kilede kasv oli ühtlane ja kahemõõtmeline. Röntgendifraktsioonanalüüs ja Raman spektroskoopia kinnitas, et kiled on amorfsed. Kõrgem aluse temperatuur sadestamise ajal suurendas kile tihedust ning tõstis ränialuse pinnakõvadust kuni 5 GPa võrra. CTO tööriistasulamil olulist kõvaduse muutust ei täheldatud. Kuigi sadestamisel CTO-le temperatuurivahemikus 530–590 °C saavutati kattes kuni 97% SiC sisaldus, ei olnud sadestatud kiled kristallilise struktuuriga. Uuringu käigus loodi teadmised SiC katete sadestusparameetrite kohta, mida saab edaspidistes uuringutes kasutada. Nanokristallilise SiC katte sadestamine jäi süsteemi piiravate parameetrite tõttu saavutamata.

Kirjeldus

Märksõnad

ränikarbiid, elektronkiiraurustus, kiletehnoloogia, kõvad katted, silicon carbide, e-beam evaporation, thin films, surface hardness

Viide