Sirvi Märksõna "aatomkihtsadestamine" järgi

Nüüd näidatakse 1 - 20 35

listelement.badge.access-status Embargo ,
Aatomkihtsadestamise meetodil valmistatavate kilede kasvu jälgimine ja kasvukiiruse salvestamine elektroonsel kujul
(Tartu Ülikool, 2009) Lõhmus, Indrek; Sammelselg, Väino, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. Arvutiteaduse instituut
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Aatomkihtsadestamise protsesside mõju alumiiniumoksiid kile mehaanilistele omadustele
(Tartu Ülikool, 2024) Koppel, Natali; Piirsoo, Helle-Mai, juhendaja; Jõgiaas, Taivo, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. Füüsika instituut
Aatomkihtsadestatud (ALD) Al2O3 kile kasutatakse palju nano- ja mikrostruktuursetes seadmetes tema dielektriliste omaduste tõttu, kaasa arvatud painduval elektroonikal, kus polümeersele alusele transistorite valmistamisel peab temperatuur olema alla 350 °C. Antud töös vaadeldi 3 erineva ALD protsessi (Al(CH3)3/H2O, Al(CH3)3/O2 plasma, Al(CH3)3/O3) ja 3 eri sadestustemperatuuri (80, 150, 300 °C) mõju Al2O3 kile mehaanilistele omadustele. Mehaaniliselt karakteriseeriti kiled nanotäkkimisel, mil määrati nende kõvadus ja Youngi moodul. Kile kõvadus tõusis sadestustemperatuuriga sõltumata hapnikuallikast ja Youngi moodul H2O ja O3 kasutades. 80 ºC juures valmistati kõige kõvemad (9 GPa) ja kõrgema Youngi mooduliga (157 GPa) Al2O3 kiled O2 plasma protsessis. Antud protsessi kiled olid kõige homogeensemad. Kõige suuremad paksuse gradiendid esinesid O3 protsessides. 300 ºC juures valmistati kõige kõvemad (12 GPa) ja kõrgema Youngi mooduliga (174 GPa) Al2O3 kiled H2O protsessis.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Aatomkihtsadestatud alumiiniumoksiidist ja tsirkooniumdioksiidist kilede mehaanilised omadused
(Tartu Ülikool, 2021) Vanker, Oliver; Jõgiaas, Taivo, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. Füüsika instituut
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Aatomkihtsadestatud ning termotöödeldud ränioksiidiga dopeeritud hafniumoksiidist kilede kristallstruktuur ja mehaanilised omadused
(Tartu Ülikool, 2024) Vanker, Oliver; Jõgiaas, Taivo, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
Käesolevas töös uuriti aatomkihtsadestatud ränioksiidiga dopeeritud hafniumoksiidist kilesid. Kilede tegemisel varieeriti ränioksiidi dopeeringut 1,5-25,5 moolprotsendi ulatuses. Kilede kristallstruktuuri hinnati röntgendifratsiooni kaudu. Kilede kõvadus ja elastsusmoodul määrati nanotäkkimisega. Kilesid karakteriseeriti lisaks lainedispersiivne röntgenfluorestsents spektroskoopiaga, röntgenpeegeldusega ja spektroskoopilise ellipsomeetriaga. Töös demonstreeritakse kristallstruktuuri tekkimist peale termotöötlust. Hinnati kristallstruktuuri mõju kile mehaanilistele omadustele.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Aatomkihtsadestatud tahkiskeskkondade varieeruva stabiilsusega takistuslülituslik käitumine
(Tartu Ülikool, 2022) Viskus, Toomas Daniel; Kukli, Kaupo, juhendaja; Merisalu, Joonas, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. Füüsika instituut
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Aatomkihtsadestatud ternaarsete oksiidide ellipsomeetria
(Tartu Ülikool, 2016) Kalam, Kristjan; Kasikov, Aarne, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. Füüsika instituut
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Aatomkihtsadestatud tsirkooniumdioksiidil põhinevad funktsionaalsed katted meditsiinilisele titaanile
(Tartu Ülikool, 2017) Aaviksoo, Elyne; Merisalu, Maido, juhendaja; Mäemets-Allas, Kristina, juhendaja; Sammelselg, Väino, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
ALD-kaetud nanoosakeste ning räniplaatide mõju inimese fibroblastidele
(Tartu Ülikool, 2017-06-10) Vetik, Rait; PhD, MD Viljar Jaks, juhendaja; PhD Mariliis Klaas, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond; Tartu Ülikool. Molekulaar- ja rakubioloogia instituut
Kuna nanomaterjalid pakuvad võimalust uute meditsiiniliste rakenduste jaoks, on tähtis võimalikke kõrvalmõjusid kontrollida. Antud töös on vaadeldud aatomkihtsadestamisega kaetud raua nanopartiklite ja räniplaatide mõju inimese fibroblastidele. Teostatud on koekultuuri katsed, rakkude arvukuse mõõtmine ja immunofluorestsentsvärvimine. Võrreldud on erinevate nanokilede mõju rakkude proliferatsioonile ja apoptoosile.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Atomic layer deposition and characterization of thin oxide films for application in protective coatings
(2017-11-01) Aarik, Lauri; Sammelselg, Väino, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
Erinevates toodetes kasutatavate materjalide eluea pikendamine ja koguste vähendamine on kaks tähtsat ülesannet, mille lahendamine võimaldab muuta väiksemaks ühiskonna ökoloogilist jalajälge. Kuna materjalid korrodeeruvad peaaegu kõigis keskkondades, siis selle tulemusena nende vastupidavus ning kasutusaeg vähenevad. See omakorda muudab lihtsalt kättesaadavate ja odavate materjalide kasutamise mõnede rakenduste puhul võimatuks. Üheks võimaluseks selliste materjalide eluiga pikendada ja neid seejuures ikkagi korrodeerivate keskkondades kasutada, on nende kaitsmine vastupidavamast materjalist katetega, mis isoleerivad kaitstavad materjalid neid hävitavast keskkonnast. Tänu tänapäevaste kõrgtehnoloogiliste seadmete üha keerukamale ehitusele ja detailide rangematele täpsusnõuetele on nende kaitsekatetega katmine traditsiooniliste meetoditega järjest keerulisem. Sellest tulenevalt on kasvanud vajadus uute senisest täpsemate tehnoloogiate järele. Käesolevas töös uuriti üliõhukeste kaitsekatete valmistamise võimalusi, kasutades selleks aatomkihtsadestamise meetodit, mis võimaldab kaitsekihi paksust ülitäpselt kontrollida. Uuringute käigus pandi kokku ja katsetati seadet, millega on võimalik sadestada kaitsekatteid ballooni-tüüpi kinniste anumate sisepinnale. Et arendada vastavaid sadestamismetoodeid ja parandada kaitsekatete omadusi, töötati välja uudsed lahendused TiO2 ja Al2O3 aatomkihtsadestamiseks tehnoloogilistes protsessides, milles lähteainesüsteemideks on vastavalt TiCl4-O3 ja AlCl3-O3. Töö käigus uuriti eelnimetatud meetoditega sadestatud kaitsekatete füüsikalisi ja keemilisi omadusi ning demontreeriti nende häid kaitseomadusi laialt kasutatava roostevaba terase pinnal.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Atomic layer deposition and microscopic analysis of magnetically and electrically polarizable thin solid films
(2021-07-07) Seemen, Helina; Tamm, Aile, juhendaja; Kukli, Kaupo, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
Tehnoloogia kiire areng on olnud võimalik tänu uute materjalide loomisele ja tehnoloogiliste meetodite rakendamisele. Selleks, et see areng elektroonika ja infotehnoloogia valdkonnas ka edaspidi jätkuda saaks, püsib pidevalt vajadus luua uudseid spetsiifiliste omadustega materjale, mida loodavates seadmetes kasutada saaks. Muuhulgas soovitakse saada selliseid õhukesi materjale, mis oleksid oma olemuselt multiferroidsete omadustega. Sellised materjalid on nii ferroelektriliste kui ka ferromagnetiliste omadustega ehk need materjalid polariseeruvad nii välise elektri- kui ka magnetvälja toimel ning on võimelised polarisatsiooni säilitama ka siis kui neile pidevalt välist elektri- või magnetvälja peale ei rakendata. Selliseid materjale soovitakse kasutada muuhulgas uue põlvkonna mäluseadmetes, kuna andmete salvestamiseks ja lugemiseks saaks sellisel juhul kasutada nii elektri kui ka magnetvälja. Sellest tulenevalt sadestati ja karakteriseeriti doktoritöös selliseid uudseid materjalikombinatsioone, mis võiksid olla toatemperatuuril magnetiliselt ja elektriliselt polariseeruvad. Selleks loodi tehislikult aatomkihtsadestamise nimelist meetodit kasutades mitmekihilised õhukesed nanomaterjalid (nanolaminaadid) ja segukihid (ka segukiled) kuhu liideti kokku potentsiaalselt ferromagnetiliste ja ferroelektriliste omadustega materjalid (peamiselt metalloksiidid). Töös kasutati materjalide valmistamiseks aatomkihtsadestamise meetodit, kuna see meetod on laialdaselt kasutuses muuhulgas mikroelektroonika valdkonnas ning võimaldab sadestada kõrge kvaliteedi ja kontrollitava paksusega õhukesi materjale, mida nimetatakse ka tahkiskihtideks. Doktoritööst selgus, et sadestatud materjalide omadused sõltusid lisaks valitud materjalikombinatsioonidele ootuspäraselt nii faasikoostisest kui ka sellest, kas tegu oli kihilise objektiga või segukilega. Oma positiivsete omaduste poolest paistsid silma mitmete metalloksiidide metastabiilsed faasid, mis mõjutasid sadestatud kilede magnetilisi ja elektrilisi omadusi, ning mille domineerimine faasikoostises oli kohati võimalik tänu sellele, et tegu oli kihiliste objektidega. Enamus sadestatud materjalidest näitasid ferromagnetilistele materjalidele omast käitumist polariseerudes välise magnetvälja mõjul ning osad materjalid käitusid ferroelektrilisele materjalile omaselt polariseerudes välise elektrivälja mõjul.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Atomic layer deposition of artificially structured dielectric materials
(Tartu : Tartu University Press, 1999) Kukli, Kaupo
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Atomic layer deposition of HfO2 – nucleation, growth and structure development of thin films
(2011-07-19) Rammula, Raul
Õhukesed tahkismaterjalide kihid ehk kiled, mille paksus ulatub paarist nanomeetrist (10-9 m) kuni mõnesaja nanomeetrini, leiavad laialdast kasutust elektroonikas, optikas ja mikromehaanika seadistes, aga samuti näiteks pindaktiivsetes ja pindu kaitsvates katetes. Selliseid kilematerjale või nendel põhinevaid mitmekihilisi struktuure saab valmistada erinevate meetoditega, kuid üheks perspektiivikamaks on peetud aatomkihtsadestamist. See meetod võimaldab saada ühtlase paksusega kilesid väga erineva pinnaprofiiliga alusmaterjalidel, mistõttu selle meetodi võimalike rakenduste valdkond on lai. Sõltuvalt sadetusprotsessi parameetritest on aatomkihtsadestamise abil võimalik valmistada erinevate omadustega (nt. parema või halvema elektrijuhtivusega, suurema või väiksema murdumisnäitajaga) kilematerjale. Konkreetseid rakendusi silmas pidades on materjali sobivate omaduste tagamine aga äärmiselt oluline. Käesolevas töös uuriti hafniumdioksiidi (HfO2) aatomkihtsadestamist ning selles protsessis saadud kilede omadusi sõltuvuses sadestusprotsessi parameetritest. Kasutati mitmeid lähteainete kombinatsioone (HfCl4-H2O, HfI4-H2O ja HfI4-O2) ning laia sadestustemperatuuride (180–750 oC) ja kilepaksuste (0–320 nm) vahemikku, et uurida HfO2 kasvukiiruse sõltuvust kile alusmaterjalist, paksusest, kristallstruktuurist ja pinnakaredusest. Näidati, et lisaks aluse temperatuurile mõjutas kilede kasvu ja kristallstruktuuri kandegaasi voog ja rõhk kasvukambris. Tehti kindlaks kilede optiliste omaduste sõltuvus kilede kristallilisusest, tihedusest ja topograafiast. Selgus, et mida tugevam on kristalliitide eelisorientatsioon kiledes, seda suurem on murdumisnäitaja. Kilede pinnakaredus sõltub nende struktuurist ja avaldab tugevat mõju optilistele kadudele. Kõrgematel sadestustemperatuuridel on kilede kasv ränialustele HfCl4-põhise protsessi algfaasis äärmiselt ebaühtlane. Õhukeste kilede karedus on sellest tingituna suur, mistõttu tuleks nendel temperatuuridel eelistada HfI4 põhinevat aatomkihtsadestamist või kasutada kaheastmelisi protsesse, milles madalal temperatuuril sadestatud siirdekiht tagab ühtlase kasvu ka kõrgetel temperatuuridel. Madalamatel sadestustemperatuuridel on mõlema metallilähteaine puhul võimalik saada siledama pinnaga kilesid, kuid kilede amorfsust suurendavate ja optilisi omadusi kahjustavate jääklisandite eemaldamiseks tuleb nendel temperatuuridel kasutada suhteliselt suuri hapniku lähteaine doose.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Capacitive behavior of atomic layer deposited nanomaterials for memories
(Tartu Ülikool, 2022) Ofoegbu, Chinedu Henry; Kukli, Kaupo, Juhendaja; Merisalu, Joonas, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Combined three-dimensional sol-gel structures and atomic layer deposited thin films
(2017-03-01) Part, Marko; Kukli, Kaupo, juhendaja; Tätte, Tanel, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond.
Vedela materjali tahkestamise võimalused on mitmete teiste rakenduste seas omandanud tehnoloogilise tähtsuse kuna nad võimaldab valmistada vedelatest lähteainejugadest tahkeid fiibrilisi kehandeid ehk kiudusid. Käesolevates teesides keskendutakse metallialkoksiidide põhiste vedelikjugade tahkestumisele eesmärgiga sünteesida metalloksiidseid seest õõnsaid fiibreid ehk mikrotorusid. Uuringute põhiobjektiks on 8% üütriumoksiidiga faasistabiliseeritud tsirkooniumi oksiid (8%YSZ), mis on teada-tuntud tehnoloogiline materjal. Sünteesitud materjalid on ligemale 100%liselt tetragonaalses faasis, materjalidel on hea mehaaniline-termiline vastupidavus, kannatades kuumutamist 1000 ˚C ja enam, ning võimaldades näiteks rakenda toru sees 1000 atm ülerõhku. Tulenevalt neist omadustest pakume me torudele välja rea erinevaid rakendusi. Optiline kvaliteet – nanohomogenne materjali struktuur – võimaldab kasutada materjale vastavate lainejuhtidena, näiteks optilise lainejuhtivuse põhiste sensoritena. 8%YSZ torude ioonjuhtivus lubab asuda konstrueerima nende põhiseid ioonmembraanseadmeid, nagu näiteks tahkeoksiidsed kütuselemendid ja gaasisensorid. Teesides on demonstreeritud üksiku toru põhist mikroplasmaseadet, mis võimaldab plasma teket üleatmosfäärirõhulistes tingimustes ja perspektiivis plasmaergastud aktiivsete osakeste suunamist lokaalsesse pinnapunkti. Viimane rakendus võiks olla huvipakkuv näiteks meditsiinis. Keraamiliste mikrotorustruktuuride täiendavaks funktsionaliseerimiseks on näidatud aatomkihtsadestamistehnoloogiate sobilikkust. Magneesiumoksiidkiled sadestati mikrotorude pinnale kasutades β-diketonate tüüpi lähteainet 2,2,6,6-tetramethyl-heptanedionato-3,5magnesium(II). Aatomkihtsadestmine on torude funktsionaliseerimiseks oluline, kuna ta võimaldab torude ühtlast katmist nii seest, kui väljast.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Complex characterization of graphene structures on nanometer level
(2019-11-12) Kozlova, Jekaterina; Sammelselg, Väino, juhendaja; Alles, Harry, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
Antud töö raames valmistati ja karakteriseeriti puhtal ja funktsionaliseeritud kujul mõne- ja mitmekihilisel grafeenil põhinevaid struktuure, kasutades erinevaid spektroskoopia ja kõrglahutusmikroskoopia meetodeid. Selleks juurutati mõnekihilise ja mitmekihilise grafeeni süntees keemilise aurufaassadestamise meetodil nikkelkatalüsaatoril ning valmistatud grafeenikihtide omadusi võrreldi grafiidi mikromehhaanilise lõhestamise teel või keemilise aurufaasist sadestamise meetodil saadud ühekihilise grafeeni omadustega. Näidati grafeeni kasvu sõltuvust nikkelaluse paksusest ja kristalliitide orientatsioonist. Leiti, et nikli pinnal sünteesitud mitmekihilise grafeeni kiles esinevad monokihtide erinevate pakmetega alad. Seejuures, kui pöördenurk grafeenikihtide vahel oli suurem kui kriitiline nurk (~13 kraadi), siis ilmnesid mitmekihilise grafeeni ramanhajumise spektris monokihilise grafeeni spektrile iseloomulikud tunnused. Samuti näidati, et grafeeni kasvuga kaasnevad polükristalliliste nikkelaluste pinna morfoloogia muutused. Edasi testiti Ni-alusel sünteesitud mitmekihilise grafeeni elektrokeemilisi omadusi ning uuriti selle funktsionaliseerimise võimalust ilma grafeeni metallaluselt eemaldamata. Uuringutest selgus, et nikkelkatalüsaatoril keemilise aurufaasist sadestamise meetodil kasvatatud mitmekihilist grafeeni saab kasutada elektrokeemiliselt passiivse alusmaterjalina elektrokatalüütiliselt aktiivsete materjalide uurimiseks. Kasutades arüüldiasooniumsoolade elektrokeemilist redutseerimist, saab sünteesitud mitmekihilise grafeeni pinda modifitseerida arüülrühmadega, mis võimaldab laiendada sünteesitud grafeeni kasutamist. Lisaks uuriti transistorstruktuuri paisudielektrikkile kasvatamise võimalust grafeeni pinnale aatomkihtsadestamise meetodi abil. Nendest uuringutest selgus, et dielektrikkilede sadestamine grafeenile, kasutades metallkloriid-vesi protsessi, põhjustab küll lateraalsete pingete tekkimist grafeenis, kuid ei genereeri struktuuridefekte selle võres. Siiski esineb grafeeni pinnal oksiidikile nukleatsiooni viivitus, mis teeb keeruliseks pidevate õhukeste oksiidikihtide kasvatamise. See on tingitud mitte ainult nukleatsioonitsentrite vähesusest, vaid ka nende tiheduse tugevalt ebaühtlasest jaotusest üle grafeeni pinna.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Effect of atomic layer deposition Pparameter alteration on monolayer graphene and resistive switching
(Tartu Ülikool, 2024) Raudonen, Kristina; Kukli, Kaupo, juhendaja; Kahro, Tauno, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
See töö on pühendatud ühekihilise grafeeni kvalitatiivsele analüüsile ja takistuslülitustele, kui aatomkihi sadestamise parameetreid, nagu temperatuur ja kile koostis muudetakse, lisades protsessile lõõmutamise ja puhvrikihi.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Epitaksiaalse TiO2 aatomkihtsadestamine safiirile: aluse orientatsiooni mõju õhukeste kilede struktuurile ja kasvukiirusele
(Tartu Ülikool, 2014-06-16) Möldre, Kristel; Aarik, Jaan, juhendaja; Tarre, Aivar, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja tehnoloogiateaduskond
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Kasvutingimuste ja -aluste mõju TiO2 aatomkihtsadestumisele
(Tartu Ülikool, 2012) Arroval, Tõnis; Aarik, Jaan, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja tehnoloogiateaduskond
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Magnetic, electric and structural properties of atomic layer deposited zirconia-based nanolaminates and mixtures
(2020-07-13) Kalam, Kristjan; Tamm, Aile, juhendaja; Kukli, Kaupo, juhendaja; Kasikov, Aarne, juhendaja; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond
Doktoritöös kasutati aatomkihtsadestamise meetodit, eesmärgiga valmistada multiferroidne nanoskaalas kile, ehk paarikümne nanomeetri paksune materjalikiht. Multiferroid on selline materjal, mis on üheaegselt nii ferromagnetiline kui ka ferroelektriline, st polariseerub nii välises magnet- kui ka elektriväljas ning on võimeline mõlemat polarisatsiooni säilitama ka välise välja eemaldamisel. Sellist materjali oleks võimalik kasutada uue põlvkonna nanoelektroonikas, näiteks mäluseadmete valmistamiseks. Aatomkihtsadestamise meetod valiti, kuna see on ennast tõestanud, kui üks sobivamaid viise üliõhukeste tahkiskihtide valmistamiseks ühtlase paksuse ja koostisega üle suure pinna. Kirjandusallikate põhjal oli teada, et materjali valmistamine, mis oleks üheaegselt nii ferromagnetiline kui ka ferroelektriline, ei ole lihtne ülesanne. Nimetatud nähtusi on tuvastatud ühe materjali samas faasis ainult ülimadalatel temperatuuridel ja/või suurtes materjalitükkides. Autorile teadaolevalt ei ole multiferroidi suudetud valmistada õhukese materjalikihina ning toimivana ka toatemperatuuril või kõrgemal. Mõlemad nimetatud tingimused on kindlasti tarvilikud, et rääkida võimalikest praktilistest rakendustest. Erinevates ZrO2 sisaldavates kiledes demonstreeriti osa kilede puhul ferromagnetilist hüstereesi ning osa käitus elektriväljas ferroelektrikule sarnaselt. Ühel juhul tuvastati ferromagnetiline ja ferroelektriline polariseeritavus samas kilenäidises. Järeldati, et kuigi traditsioonilisest ferromagnetismist rääkimiseks ei ole nanoskaalas metalloksiidkilede puhul põhjust, siis teatud juhtudel võivad siiski defektid, nagu näiteks hapnikuvakantsid, materjali ferromagnetilist käitumist põhjustada. Kuigi defektid raskendavad ferroelektrilise polarisatsiooni mõõtmist, võib leida nö. tasakaalupunkti piisava hulga defektide vahel, et saavutada ferromagnetiline polarisatsioon ja piisavalt vähese hulga defektide vahel, et ferroelektriline efekt ei jää veel täielikult piirpindadel tekkiva lekkevoolust tingitud polarisatsiooni varju. Autori arvates tuvastati selline olukord, kui defektirohke ferromagnetiline ZrO2 segati vähem defektse materjaliga HfO2, mille puhul võis kirjandusele toetudes oodata ferroelektrilisust.
listelement.badge.access-status Avatud juurdepääs ,
Magnetiliste metalloksiidkilede ja nende korrusstruktuuride mikroskoopia ja struktuuranalüüs
(Tartu Ülikool, 2017) Seemen, Helina; Tamm, Aile, juhendaja; Kukli, Kaupo, juhendaja; Tartu Ülikool. Füüsika instituut; Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond